반도체 웨이퍼의 두께 및 에칭 후 패턴 사이즈를 예측할 수 있는 가상계측 모델을 구축하였다. 예측을 위해 공정 센서에서 수집되는 FDC 파라미터와 웨이퍼 두께 및 에칭 후 패턴 사이즈와의 관계를 최신 기계학습 기법을 바탕으로 모델링하였다. 기존에는 공정 장비 및 웨이퍼 포인트마다 가상계측 모델을 구축하였는데, 본 연구에서는 하나의 모델 만으로도 전체 장비에서 생산되는 모든 포인트의 웨이퍼의 두께 및 에칭 후 패턴 사이즈를 효율적으로 예측할 수 있도록 하였다.